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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:高真空三靶磁控濺射鍍膜儀自動控制

  • 產(chǎn)品型號:TN-MSH325-III-DCDCRF-SS
  • 產(chǎn)品廠商:泰諾
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簡單介紹:
三靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜等。該三靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比,其不僅應(yīng)用廣泛,且具有體積小便于操作的優(yōu)點,是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備
詳情介紹:

三靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜等。該三靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比,其不僅應(yīng)用廣泛,且具有體積小便于操作的優(yōu)點,是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備

三靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的一款高性價比磁控濺射鍍膜設(shè)備,具有標準化、模塊化、可定制化的特點。磁控靶為2英寸,客戶可以根據(jù)所鍍基板的大小自主選購;所配電源為兩個500W直流電源,一個300W射頻電源,直流電源可用于金屬薄膜的制備,兩個靶可以滿足多層或者多次鍍膜的需要。

鍍膜儀具有兩路高精度質(zhì)量流量計,客戶若另有需求可以定制至多四路質(zhì)量流量計的氣路,以滿足復雜的氣體環(huán)境構(gòu)建需求;儀器標配先進的渦輪分子泵組,極限真空可達1.0E-5Pa,同時另有其他類型的分子泵可供選購。分子泵的氣路由多個電磁閥控制,可以實現(xiàn)在不關(guān)泵的情況下打開腔體取出樣品,大大提高了您的工作效率。本產(chǎn)品可以選配一體機工控電腦對系統(tǒng)進行控制,在電腦程序上可以實現(xiàn)真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數(shù)功能,可以進一步提高您的實驗效率。

三靶磁控濺射鍍膜儀

技術(shù)參數(shù):

產(chǎn)品名稱

高真空三靶磁控濺射鍍膜儀自動控制

產(chǎn)品型號

TN-MSH325-III-DCDCRF-SS

供電電壓

AC220V50Hz

整機功率

6KW

系統(tǒng)真空

5×10-4Pa

樣品臺

外形尺寸

φ150mm

加熱溫度

850

控溫精度

±1

可調(diào)轉(zhuǎn)速

20rpm

磁控靶槍

靶材尺寸

直徑Φ50.8mm,厚度≦3mm

冷卻模式

循環(huán)水冷

水流大小

不小于10L/Min

數(shù)量

3

真空腔體

腔體尺寸

直徑φ325mm

腔體材質(zhì)

SUU304不銹鋼

觀察窗口

直徑φ100mm

開啟方式

頂開式

氣體控制

1路質(zhì)量流量計用于控制Ar流量,量程為:200SCCM

真空系統(tǒng)

配分子泵系統(tǒng)1套,氣體抽速600L/S

膜厚測量

可選配石英晶體膜厚儀,分辨率0.10 ?

濺射電源

配直流電源,功率500W*2  射頻電源300W

控制系統(tǒng)

CYKY自研專業(yè)級控制系統(tǒng)

設(shè)備尺寸

570mm×1040mm×1700mm

設(shè)備重量

350kg



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